Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"Heterojunction adalah sambungan yang dibentuk antara dua material semikonduktor dengan bandgap yang barbeda. Sambungan tersebut dapat berupa sambungan yang abrupt atau graded. Heterojunction Bipolar Transistor merupakan bipolar transistor yang mempunyai ketipisan di bawwh 50nm yang menumbuhkan lapisan campuran Si1.xGex sebagai basis. Kandungan Ge sampai 50% dapat digabungkan dengan Si standard BJT (bipolar junction transistor), dengan ketipisan 10 sampai 50 nm pada basis.Pada penelitian ini dibuat rancangan Heterojunction Bipolar Transistor Si/Si1_xGex/Si dengan memperhitungkan mobilitas hole dengan doping yang tinggi sehingga diperoleh nilai resistansi basis yang rendah yang dapat memberikan nilai frekuensi maximum (Fmax) yang optimum .Untuk mendapatkan nilai resistansi basis yang rendah pada divais digunakan doping yang tinggi NB=5.I02° cm-3. Di samping nilai resistansi basis yang rendah juga diperlukan nilai frekuensi transit (fr) yang tinggi. Untuk memperoleh frekuensi transit yang tinggi tersebut digunakan model struktur divais dengan NE=1018 cm-3, NB=5.1020 cm-3 dan WE=50 nm. Lebar basis dibuat bervariasi antara 10-50 nm dengan kenaikan 10 nm dan fraksi mole (x) Ge dibuat bervariasi antara 0.04 sampai 0.20 dengan kenaikan 0.04.Dari rancangan HBT yang diteliti tersebut hasil perhitungan menunjukkan bahwa pengurangan lebar basis dari 50 nm menjadi 10 nm pada HBT dengan NE=10' cm 3, NB=5.102° cm-3, WE =50 nm dan x=0.20 dapat meningkatkan frekuensi Transit dari 46 GHz menjadi 173 GHz, sedangkan besarnya frekuensi maximum dari 102 GHz menjadi 196 GHz."

"HBT Pengganda Frekwensi adalah HBT yang menghasilkan keluaran frekwensi dua kali lipat dari pada frekwensi masukan. Prinsip kerja dari HBT pengganda frekwensi adalah memanfaatkan sifat tak linier dari divais aktif, yaitu divais aktif yang diberi masukan sinyal sinusoid akan menghasilkan sinyal sinusoid dengan frekwensi sama dengan sinyal masukan dan sinyal sinusoid dengan frekwensi yang merupakan kelipatan bulat dari frekwensi sinyal masukan. Berdasarkan referensi dinyatakan bahwa, dengan HBT linier, frekwensi maksimum (fmax) pada saat operasional hanya 1/3 dari fmax, pada saat didisain, sedangkan dari referensi yang lain, pengganda frekwensi dengan menggunakan Si/SiGe HBT pernah didisain dengan frekwensi maksimum (fmax) pada saat disain, adalah 67 GHz dan pada saat operasional mampu menghasilkan frekwensi maksimum (fmax) 55 GHz. Dengan demikian metoda pengganda frekwensi dengan menggunakan HBT mampu menghasilkan efisiensi yang lebih baik dari pada HBT linier. Dalam penelitian ini dirancang pengganda frekwensi dengan fmax 120 GHz dengan HBT Si/SiGe. Metode disain menghasilkan frekwensi maksimum (fmax) 115 GHz, yang berarti mendekati frekwensi maksimum yang diinginkan. Pada uji performansi dengan menggunakan gummel plot dihasilkan penguatan arus yang stabil, dan pada uji arus kolektor diketahui tegangan breakdown 4 V.

---

HBT frequency doublers is HBT which provide output frequency two times multiplication than input Frequency. Basic operation of frequency doublers is to take an advantage from non linear behavior of an active device that is if an active device has sinusoidal input signal, it would provide sinusoidal signal which has same frequency with input signal and sinusoidal signal which has frequency n- times multiplication than input signal.

Based on one of reference its claim that fmax from linear HBT, has maximum operational frequency (fmax operational) only one third than maximum frequency (fmax) than it was design. From another reference claim that using Si/SiGe HBT frequency doublers method which have had design and implemented Si/SiGe HBT frequency doublers was designed with fmax 67 GHz and resulted maximum operational frequency 55 GHz. That?s mean Si/SiGe HBT can achieve better frequency than linear HBT.

The purpose of this research is to designed and simulated Si/SiGe HBT frequency doubler with 120 GHz Using Si/SiGe HBT. Design method can achieve 115 GHz, that?s mean close to needed frequency. On the performance experiment using gummels plot measurement resulted that device has stable current amplification and from collector current experiment its provide that?s device breakdown is 4 V."

"Tunnel Solar Cells (TSC) merupakan kombinasi efek tunnel pada Passivated Emitter of Rear Location (PERL) silikon solar sel, penelitian terhadap TSC dilakukan sebagai upaya untuk meningkatkan performansi dan efisiensi silikon solar sel.Pada tests ini dilakukan peraneangan dan analisa TSC, dengan menitikberatkan proses tunneling pada solar sel. Proses tunneling pada solar sel hanya dapat terjadi pada keadaan reverse bias dan konsentrasi doping yang tinggi. Untuk itu, dilakukan pembalikan polaritas dan peningkatan konsentrasi doping pada PERL silikon solar sel, agar terbentuk struktur TSC.Pada analisa diperoleh hasil, bahwa peningkatan arus pada TSC dapat terjadi dengan dua kemungkinan, yaitu : pertama, peningkatan banyaknya pasangan elektron-hole yang terjadi per energi photon (Quantum efficiency) akibat gabungan efek tunnel dan avalanche yang terjadi pada sel, dan kedua, perpindahan elektron melalui barrier yang sempit dengan kecepatan yang sangat tinggi (high speed) hasil dari proses tunneling pada konsentrasi doping yang sangat tinggi. Arus maksimum pada konsentrasi doping (NB) 1.1021cna 3 sebesar 8 Amper, dengan daya maksimum yang diberikan 22 Watt dan efisiensi 27%. Peningkatan efisiensi dan performansi, yang semula sebesar 24.7% pada PERL silikon solar sel, telah dapat diraih pada TSC.

---

The Tunnel Solar Cells (TSC) is the combination of tunnel eject on the Passivated Emitter of Rear Location (PERL) silicon solar cells structure. The research of TSC has done to increase performance and efficiency silicon solar cells.This Thesis has designed and analyzed the TSC, focus on the tunneling process for silicon solar cells. This tunneling process is only able to do on the reverse bias and the high doping concentration. This Thesis has done to make the back of polarity and increased the doping concentration on The PERL structure.The analysis has obtained the result, that the current increment on TSC has done by two possibility, first, the quantum increment of electron-hole pairs per energy photon (quantum efficiency), the result of the combination tunnel effect and avalanche, and second, electron moved through of narrower barrier on the high speed, the result of the tunnel process on the very high doping concentration. The maximum current on the doping concentration 1.1021 cm-3 is 8 Ampere, with maximum power 22 Watt and efficiency 27%. The increment of performance and efficiency, present on The PERL silicon solar cells is 24, 7%, has reached on the TSC."

"Jika dua bahan semikonduktor yang tidak sama digabungkan, sambungannya disebut heterojunction. Karena kedua bahan semikonduktor tersebut mempunyai bandgap yang berbeda, akan terjadi diskontinuitas energi pada persambungannya. Sambungan yang terbentuk dapat berupa sambungan abrupt atau graded. Sambungan abrupt terjadi jika perubahan dari satu bahan ke bahan lainnya terjadi secara tiba-tiba, sedangkan sambungan graded terjadi jika perubahan dari bahan satu ke bahan lainnya terjadi secara perlahan-lahan. Pada penelitian ini dibuat rancangan HBT (Heterojunction Bipolar Transistor) Si/SiGe sambungan abrupt yang dapat memberikan frekuensi transit (fT) dan penguatan arus yang optimum. Untuk memperoleh frekuensi transit tersebut digunakan model struktur divais dengan NE=I01 S cm-3, NB=5.1019cm"3, dan WE=-50 nm. Lebar basis W8 dibuat bervariasi antara 10 - 50 nm dengan kenaikan 10 nm dan fraksi mol Ge dibuat bervariasi antara 0.15 sarnpai 0.25 dengan kenaikan 0.025. Dalam perancangan digunakan model HBT yang memasukkan mekanisme drift, difusi dan emisi termionik. Model tersebut juga digunakan untuk menentukan densitas arus basis, arus kolektor dan penguatan arus untuk lebar basis dan fraksi mol Ge yang bervariasi. Hasil perhitungan menunjukkan bahwa pada HBT yang diteliti komponen arus emisi termionik sekitar 2.8 sampai 4.2 kali lebih besar dibanding dengan anus drift-difusi. Pengurangan lebar basis dari 50 nm menjadi 10 nm pada HBT dengan N E.--1018 cm-3, NB=5.109 cm 3, WE=50 nm, dan x .25 dapat meninakatkan frekuensi transit dari 52 GHz menjadi 178 GHz, sedangkan besarnya penguatan arus untuk WB=1O nm adalah 312 kali.

---

When two different semiconductor materials are used to form a junction, the junction is called a heterojunction. Since the two materials used to form a heterojunction will have different bandgaps, the energy band will have a discontinuity at the junction interface. The type of the junction could be an abrupt or graded junction. In abrupt junction, the semiconductor changes abruptly from one material to the other material. on the other.hand in graded junction, the composition of materials are graded.

In this work, we designed abrupt junction Si/SiGe HBT (Heterojunction Bipolar Transistor) with optimum transit frequency VT) and current gain. To achieve that transit frquency, the divals structure model with NE=1418 cm 3, Na 5.1019cm 3, and WE-50 nm is used. Base width WS was changed between 10 - 50 run with 10 nm increment and the Ge mole fraksi was between 0.15 - 0,25 with 0.025 increment. The model of HBT which include the drift, difussion and thermionic emission is used. The HBT model is also used to calculate the base and collector current density and the current gain for variable base width and Ge mole fraction.

The result show that the thermionic emission current is 2.8 until 4.2 times higher than the drift-difussion current. If base width is decreased from 50 nm to 10 nm of an HBT with NE=1018 cm-3, N8=5.1019 cm-3, WE=50 nm, and x=0.25 , the transit frequency is increased from 52 GHz to 178 GHz. The current gain for WB= 10 nm is 312 times larger."

"Salah satu usaha untuk meningkatkan kapasitas transmisi dan/atau memperpanjang jarak transmisi pada komunikasi serat optik, yaitu dengan dikembangkannya diode laser yang dapat diatur panjang gelombangnya (tunable laser diode). Diode laser ini dapat dibuat dengan 2 cara, yaitu memfabrikasi langsung laser mode tunggal (single mode laser) atau laser mode jamak (multimode laser) yang digandeng dengan external tuning. Pada Tesis ini dilakukan uji coba dan analisa suatu sistem penalaan (tuning), sehingga cahaya laser menghasilkan panjang gelombang dengan lebar spektral yang sempit. Sistem ini menggunakan laser semikondulctor GaAs sebagai diode laser mode jamak yang mempunyai rentang panjang gelombang 640,7 nm and 722,08 nm dan daya maksimum 4 mW. Disamping itu sebagai external tuning digunakan kisi yang mempunyai jarak antara celala (d) = 327,762 µm ± 55,84 p.m , sedangkan antara diode laser dengan kisi, digunakan lensa sebagai kolimator. Dari hasil uji coba dan analisa menunjukkan bahwa panjang gelombang yang akan ditransmisikan dapat dipilih dengan merubah sudut kisi terhadap sumbu optic. Perubahan sudut kisi dapat dilakukan antara 0° sampai 60°, sedangkan panjang gelombangnya antara 675,86 nm dan 682,43 nm dengan lebar spektral antara 29.65 nm dan 113.10 nm.

---

One way to increase transmission capacity and/or to extend transmission distance in optical fiber communication is by providing tunable laser diode. There are two ways in making each laser diode, namely, fabricating directly single mode laser or using multimode laser coupled with external tuning. In this thesis a tuning system will be measured and analysed, so that laser light produces the wavelength with narrow spectral width. This system uses GaAs laser semiconductor as multimode laser diode that has wavelength range 640.7 nm and 722.08 rim and maximum power of 4 mW. Besides grating with period of grating 327,762 p.m ± 55,84 p.m is used as external tuning, while between laser diode and grating, a lens is used as collimator. The measurement and analysis shows that the wavelength that will be transmitted can be selected by changing grating angle to optical axis. The variation of grating angle is between 0° and 60°, whereas the wavelength is between 675.53 nm and 682.43 nm with spectral width between 29.65 nm and 113.10 nm."

"ABSTRAKPada tesis ini dibahas suatu MOSFET yang mendapat tambahan floating-Gate, dengan potensialnya dikendalikan oleh Gate-masukan jamak. Multiple-input floating-Gate MOSFET ini (disingkat uMOS), memberikan kemampuan fungsional yang tinggi berbasiskan karakteristik-dasar operasi penjumlahan level tegangan-gate yang mendapat pembobotan dan operasi threshold.Menggunakan 6 buah C-uMOS serta sebuah C-MOS biasa, pada tesis ini telah dirancang suatu Gerbang-Logika tunggal yang bekerja secara biner dengan masukan 2-bit dan keluaran 1-bit, dan mampu mengoperasikan berbagai kemungkinan dari keseluruhan 16 macam fungsi-logika melalui pengendaiian. Uji-validitas rancangan dilakukan berbantuan komputer menggunakan perangkat lunak PSpice versi 5.Oa. Rancangan tata-letak chip rangkaian terpadu dari Gerbang tersebut juga dibuat - untuk rencana proses pabrikasinya, menempati luas area 57.200, dengan jalur sambungan 23 % diantaranya.

---

ABSTRACT

In this thesis is discussed a MOSFET which has an additional floating Gate, with its potential being controlled by multiple-input Gates. This multiple-input floating-Gate MOSFET (abbreviated as uMOS), presents a high functional capability based on a fundamental characteristic i.e. gate-level weighted sum and threshold operations.

By using 6 C-uMOSs and an ordinary C-MOS, in this thesis has been designed a single Logic-Gate which operates binary with 2-bit inputs and 1-bit output and capable to operates any of the total 16 different logic functions by controlled. Validity-test of the design has been carried out by the use of computer, using PSpice's software version 5.Oa. The IC chip's layout was also designed for planning its fabrication process, needed a 57,200 A.' area, where routing was occupies 23% of it."

"Dalam Tesis ini dirancang dan dibuat suatu struktur CCD jenis buried channel (BCCD) 3 gate, menggunakan bahan silikon dengan gate dari bahan alumunium, yang dianalisis dan disimulasikan melalui program simulasi pada perangkat lunak SSUPREM dan MATLAB. Pabrikasi dilakukan di Laboratorium TELKOMA LIPI Bandung, menggunakan teknologi difusi planar, kemudian dilakukan pengukuran kedalaman kanal, kedalaman source-drain, karakteristik I-V junction source - bulk dan drain - bulk, karakteristik I-V hubungan source - drain, karakteristik I-V dengan Tegangan gate berbeda. Hasil simulasi dan analisis menunjukkan bahwa semakin besar kedalaman kanal tipe n pada BCCD, akan mempercepat perpindahan muatan, serta mengakibatkan semakin tidak effisien proses perpindahan muatannya. Dan semakin besar panjang gate, akan memperbesar waktu perpindahan muatan, sehingga semakin effisien proses perpindahan muatannya. Hasil pengukuran diperoleh bahwa karakteristik I-V rancangan devais yang dipabrikasikan, telah menunjukkan fenomena BCCD.

---

In this thesis, a CCD Structure, 3 Gate Buried Channel type (BCCD) was designed and fabricated using Silicon with Gate made from aluminum material. This analysis and simulation were done using by simulation software SSUPREM and MATLAB programs. The device fabrication was done at TELKOMA LIPI Laboratory in Bandung, utilizing Planar Diffusion Technolog, afterward the following measurement were done ; the depth of buried channel, the depth of Source-Drain, the current-voltage (I-V) characteristic of Source - bulk and Drain - bulk junctions, the current-voltage (I-V) characteristic of Source - Drain relationship, and the current-voltage (I-V) characteristic for various gate voltages.

The results of Simulation and analysis shown that the lower the n type channel depth of BCCD is, the slower the charge transfer, hence increasing transfer efficiencies. And also the more the length of the gate is, the greater the charge transfer, hence decreasing transfer inefficiencies. The result of the measurements proved that the current-voltage ( I-V ) characteristic obtained from the designed and fabricated device, has shown the phenomenon of BCCD."

"Pada penelitian ini dilakukan rancangan dan fabrikasi pernbuatan diode laser (DL) GaInAsP/InP ë. = 1300 µm, yang pelaksanaan nya dilakukan di LP3FT-LIPI Serpong. Dari hasil penumbuhan terdapat pergeseran sebesar 20 nm dari panjang gelombang yang diinginkan, dan untuk mendapatkan hasil yang diinginkan diadakan koreksi berat InAs terhadap In. Proses penumbuhan dilaksanakan dengan menggunakan LPE (liquit phase epitaksi) dimana lapis= Gain AsP yang terdici dari komposisi kristal murni InP, GaAs, InAs dengan doping kristal In-Te untuk tipe- n dan kristal In-Zn untuk tipe-p ditumbuhkan pada substrat InP sehingga terbentuk wafer. Karak edstik lapisan GaInAsP yang dikehendaki dapar ditentukan dengan memvariasikan berat relatif In P, GaAs, InAs terhadap berat In. Lapis= aktif DL ini adalah lapisan GaInAsP dengan panjang gelombang (ë) = 1300 nm. Hasil penumbuhan (wafer) dikarakterisasi dengan Optical Spectrum Analyser untuk mengetahui panjang gelombang yang ditumbuhkan dan Scanning Elektron Microscope untuk mengetahui ketebalan struktur kristal yang ditumbuhkan.Proses selanjutnya, untuk membuat stripe tedebih dahulu ditumbuhkan lapisan silikon (SiO2) diatas wafer dengan ketebalan 1000Ǻ 1200 Ǻ yang menggunakan RF sputtering, dan dengan bantuan photoresist, stripe tersebut dapat dibentuk melalui proses Photolithography. Setelah proses etsa, dimana lapisan SiO2 pada stripe dihilangkan dengan larutan HF, dapat dilakukan metalisasi melalui proses evaporasi dengan menggunakan Au-Zn untuk Khatoda dan Au-Sn untuk Anoda, yang sebelumnya didahului penipisan lapisan substrat dari 360 µm menjadi 00µm.Rancangan dioda stripe ini berhasil ditumbuhkan setelah keluar tungku kristal hasilnya berkilat seperti kaca dan. setelah dikarakterisasi dengan OSA ada panjang gelombang yang diinginkan.In this research we designed and fabricated the GaInAsP/InP Laser diode with ë = 1300 nm, in LP3FT-LIPI Serpong. From the result we obtained the wavelength shifted about 20 am, and to find the required wavelength we corrected the weight of InAs to In. The growth process was carried out using the liquid phase epitaxsi (LPE) where the GaAsInP layer consisted of the composition of the full crystallography of InP, GaAs, InAs with the doped crystal of InTe for n-type and InZn for P-type where grown at the InP-substrate to form the wafer. The characteristic of the required GaInAsP, layer can be determined with the variation of relative weight of InP GaAs, InAs to the weight of In. The active layer was GalnAsP layer with the wavelength of 1300 nm. The growth result was characteristic using the Optical Spectrum Analyser to know the growth wavelength and Scanning Electron Microscope to know the crystal thickness.

Future more to make the stripe we growth the SiO2layer in above of the wafer with 1000 Ǻ1200 Ǻthickness using the RF sputtering, and the stripe can be form by Photolithography process with the photoresist after the etching process where, the silicon oxide layer at the stripe removed by HF, we did the metallization by evaporation process using AuZn for Cathode and AuSn for Anode, where the lapping of substrate from 360 µm to be 100 µm was done previously.

The fabrication of stripe diode was success if the surface of the result will be like mirror and wavelength characteristic will occur by OSA."

"ABSTRAKAplikasi penggunaan tunnel-diode tidak hanya pada bidang gelombang mikro, tetapi juga berkembang dalam bidang lainnya seperti pada bidang multi state memory, Analog to Digital Converter. Untuk berbagai keperluan tersebut dibutuhkan tunnel-diode yang berbeda dalam spesifikasi dan materialnya.Dalam tesis ini bertujuan untuk melakukan penumbuhan lapisan tunnel-diode menggunakan bahan Indium Phospat. Penumbuhan lapisan ini merupakan dasar dari fabrikasi komponen mikroelektronika. Proses penumbuhan lapisan dilakukan dengan metode Epitaksi Fasa Cair yaitu metode penumbuhan lapisan kristalin dengan orientasi tertentu melalui fasa cair berupa larutan jenuh pada substrat kristal tunggal. Penumbuhan lapisan dilakukan menggunakan bahan Indium Phospat (InP) sebagai sumber dan Indium Seng (InZn) sebagai doping sehingga akan terbentuk lapisan kristal tunggal tipe-p diatas susbtrat InP tipe-n. Hasil penumbuhan menunjukkan bahwa penumbuhan lapisan tunnel-diode berhasil dilakukan.

---

Tunnel-diode not only at microwave application but have been developed at other field such as multi state memory, Analog to Digital Converter. For this reason need tunnel-diode with different specification and material.

In this thesis, growing a crystal layer on InP substrate using Liquid Phase Epitaxial method was made. Liquid Phase Epitaxial is the growth of an oriented crystalline layer of material from a saturated or supersaturated liquid solution onto a single crystal substrate. The growth can be used source material InP and doping material InZn until single crystal layer can be formed p-type InP onto n-type InP. The thickness of the layer grown can be measured using thickness measurement. "

"ABSTRAKPada senyawa semikonduktor InGaAsP (Indium - Galium - Arsenit-Phosfor) yang ditumbuhkan diatas substrat InP (Indium-Phosfor), lapisan aktif Ins-xGaxAsyPI-y akan menentukan emisi foton pada panjang gelombang L untuk harga x dan y tertentu. Lapisan aktif yang mempunyai energi gap Eg = 0,8 eV ditumbuhkan sesuai kisi substrat p-InP dari struktur jamak ganda InGaAsP/InP akan menghasilkan spektrum emisi spontan pada daerah panjang gelombang X = 1,55 mm. Doping konsentrasi aseptor Na lapisan p-InP akan menentukan puncak panjang gelombang Xp dari pada spektrum emisi spontan. Spektrum emisi spontan pada puncak panjang gelombang Xp = 1,55 pm memungkinkan untuk ditransmisikan melalui media serat optik yang terbuat dari bahan serat silika optik mode tunggal. Pada penulisan tugas thesis ini dilakukan simulasi spektrum emisi spontan relatif R dari lapisan aktip terhadap perubahan dari konsentrasi aseptor Na menggunakan perangkat lunak Borland delphi. Analisa hasil simulasi menunjukkan spektrum emisi spontan relatif R pada puncak panjang gelombang 7-p = 1,55 pm terjadi pada konsentrasi aseptor Na = 150 x 1017 Cm-9 dan parameter band tail = 0,072 eV.

---

In semiconductor compound of InGaAsP (Indium--Gallium--Arsenit-Phosfor) being growing on InP (Indium--Phosfor) substrate, the active layer of Ini-xGaxAsyPI-y is going to determine photon emission at wavelength of k for values certain of x and y.

The active layer having gap energy of Eg = 0.8 eV lattice-matched to InP of double heterostructure InGaAsP/InP yield spontaneous emission spectrum at wavelength region of X = 1.55 pm. Doping acceptor concentration of Na for p--InP layer would determine on peak wavelength of kp for spontaneous emission spectrum. The spontaneous emission spectrum on the peak wavelength of Xp = 1.55 pm is possible for use as transmitted through single mode fiber optic which made of optic silica material.

In the writing this thesis, the relative spontaneous emission spectrum of R from active layer simulated with various of Na acceptor concentrations by using delphi borland software.

Simulation result analyzing show that relative spontaneous emission of R on peak wavelength of Xp = 1.55 pm is happened for acceptor concentration of Na = 150 x 1017 Cm-3 and band tail parameter of 77 = 0.072 eV."